| 代碼 | 名稱 | 當前價 | 漲跌幅 | 最高價 | 最低價 | 成交量(萬) |
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市場活躍度再度回升!
11月13日,A股各大指數集體上漲 ,個股漲多跌少。其中,福建板塊大幅拉升,廈工股份 、龍洲股份直線漲停,平潭發展、寧德時代、金龍汽車等紛紛跟漲 。午后 ,合興包裝也大幅異動,該股從拉升動作開始,至漲停板 ,用時僅2分鐘。截至下午收盤時,福建板塊漲停的個股多達12只。
存儲芯片概念股今日也集體走強,天奧電子、誠邦股份等多股漲停;佰維存儲盤中一度大漲超19% ,股價再創歷史新高。有分析指出,DRAM與NAND供給緊張,價格持續上行 ,存儲芯片產業正迎來結構性繁榮期 。
福建板塊再度異動
在高位橫盤近10個交易日后,福建板塊今日(11月13日)再度迎來大漲行情,通達信福建板塊指數漲幅接近4% ,創出歷史新高。
個股方面,開盤10分鐘內,廈工股份 、龍洲股份就被資金直線拉升至漲停板;下午13時16分,合興包裝也直線拉升 ,至13時18分,該股封死漲停板;緊隨其后,海欣食品也在10分鐘內拉升至漲停板。
截至下午收盤時 ,福建板塊漲停的股票有12只,分別為龍洲股份、三木集團、東百集團 、盛屯礦業、廈工股份、中國武夷 、閩發鋁業、金龍汽車、平潭發展 、海欣食品、九牧王、合興包裝 。其中,三木集團已連續5個交易日漲停 ,東百集團連續4個交易日漲停。
此外,寧德時代放量大漲超7%,創出近1個多月新高 ,全天成交額接近230億元。日前,寧德時代董事長曾毓群在2025世界動力電池大會上表示,目前 ,公司量產的第四代磷酸鐵鋰電池,在高比能 、長壽命、高功率方面,全面領先行業主流的第二代、第三代產品 。在此基礎上,近期 ,公司的第五代產品已經開始量產,在能量密度和循環壽命上實現了新的突破。
曾毓群還表示,公司今年推出的「鈉新」鈉離子電池 ,有效降低對鋰資源依賴,更安全、更低碳,并解決了低溫性能痛點 ,為北方高緯度地區的新能源車普及提供了新路徑。而在全固態電池方面,公司的研究和產業化進度也處于全球前列 。
另據廈門日報11月13日報道,隨著全球新能源產業加速升級 ,綠色低碳產品需求持續釋放,福建省鋰電池出口呈現強勁增長態勢。廈門海關12日發布的數據顯示,1月至10月 ,福建省鋰電池出口破千億大關,達到1083.8億元,創歷史同期新高,占同期福建省出口總值的11.3%。
作為福建省優勢特色產業 ,鋰電池產業以13.7%的顯著增長,有力帶動福建全省出口整體逆勢增長1.3個百分點 。據廈門海關介紹,民營企業是福建省鋰電池出口的絕對主力。1月至10月 ,福建省民營企業出口鋰電池占比超九成,出口值達1033.4億元,在全國各省中排名第一。
數據顯示 ,1月至10月,歐美仍是福建省鋰電池出口的主要市場。同時,新興市場開拓成效顯著 ,對印度 、韓國等出口增長勢頭迅猛,為出口增長注入新活力 。
存儲芯片概念股走強
今日盤中,存儲芯片概念股也集體走強 ,板塊指數整體漲幅一度超過2%。截至下午收盤時,存儲芯片板塊上漲1.6%,天奧電子、誠邦股份、多氟多 、萬通發展漲停,佰維存儲漲超13% ,壹石通、微導納米漲超12%,兆易創新漲超8%。
日前,有外媒報道稱 ,三星電子、SK海力士和鎧俠等正在謀劃推動NAND價格上調 。據悉,三星目前正與海外大型客戶討論明年的供貨量,并在內部考慮將價格上調20%至30%以上。與此同時 ,三星 、SK海力士、鎧俠、美光這四大存儲龍頭今年下半年都紛紛削減NAND閃存供應量。報道稱,北美大型科技企業擔心NAND價格飆升,已開啟“恐慌性囤貨” ,部分供應商明年NAND供貨量已被搶訂一空 。
招商證券近日發布研報稱,存儲芯片產業正迎來結構性繁榮期。HBM 、HBF等高帶寬存儲技術的快速發展,加之產能優先向高端產品傾斜 ,使得供應商掌握定價權,傳統DRAM與NAND供給緊張,價格持續上行。行業巨頭如SK海力士與三星電子在HBM市場的領先地位進一步強化其盈利能力,同時帶動上游設備、材料、封裝廠商及下游AI服務器 、云計算與終端設備的配套增長 。
開源證券指出 ,在AI超級周期的拉動之下,存儲芯片正面臨短缺。從需求層面看,AI服務器對存儲的需求呈指數級增長 ,單臺AI服務器的DRAM用量約為傳統服務器的8倍,NAND用量約為3倍,2025年AI對存儲的需求占比來到40% ,未來或將進一步提升。
此外,HDD的產能緊張也導致SSD為代表的半導體存儲滲透加速;供給層面而言,三星、海力士等原廠均表示未來將把大部分資本開支投向持續緊缺的HBM及高利潤率的產品 。結果而言 ,據半導體產業觀察,傳統DRAM可能在2027年后才開始回穩,NAND與高容量存儲需求可能會持續至2028年甚至更久 ,因此,國內存儲廠商擴產有望在缺貨的情況之下帶動份額擴張,擴產的必要性在提升。
開源證券表示,從工藝層面而言 ,存儲擴產將會顯著帶動刻蝕與薄膜設備需求,如3DNAND涉及的關鍵工藝包含ONON交替沉積、高深寬比通孔刻蝕、孔壁ONO沉積 、臺階刻蝕、狹縫刻蝕等;而DRAM涉及的關鍵工藝包括多重曝光、電容高深寬比刻蝕和沉積 、HKMG沉積等。當前國產設備公司在各類工藝取得突破,如北方華創、中微公司部分高深寬比刻蝕設備已經在下游客戶產線實現量產 ,拓荊科技應用于先進制程的薄膜沉積機臺也已在Q3實現量產,同時中科飛測明場納米圖形晶圓缺陷檢測設備也已進入先進產線驗證。因此,持續突破下 ,存儲設備國產化率有望步入增長快車道 。
(文章來源:券商中國)
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