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據臺灣“中央社 ”8月5日報道,臺積電爆出工程師涉嫌盜取2納米制程技術機密 ,臺灣檢方經調查后,向法院申請羈押禁見3名涉案人員獲準 。由于臺“科學及技術委員會”已將14納米以下制程的IC制造技術納入臺灣核心關鍵技術清單,該委員會5日說 ,若竊取核心關鍵技術商業機密,依規將由檢調偵辦,并將加重刑責最高達12年有期徒刑、1億元新臺幣罰金。
據報道 ,臺“高等檢察署”智財分署5日稱,臺積電前員工陳姓男子與在職員工吳姓男子(已被解職)等人涉嫌非法取得商業機密,7月間發動偵查行動 ,依違反“國安法 ”向法院申請羈押禁見陳姓男子等3人獲準。
臺積電5日稱,經內部調查發現,有涉及商業機密泄露情況,已對涉事違規人員進行嚴厲懲處 ,“并采取相關法律行動” 。
臺“科學及技術委員會”5日晚間進一步說明,如果為境外竊取臺灣核心關鍵技術的商業機密,由檢調偵辦不法外流情形 ,并加重刑責最高達12年有期徒刑 、1億元新臺幣罰金。
臺灣《工商時報》稱,由于本案發生于2納米量產前的關鍵節點,業界普遍認為 ,這不只是單純的內控違規,而是具明確目的性的商業間諜行為,恐對臺積電技術優勢等構成重大威脅。
報道稱 ,此次事件波及臺積電研發中心與新竹寶山Fab20廠區,涉案人員共9人,包括3名2納米試產及6名研發支援部門工程師 。該案最初是臺積電偵測到異常流量 ,發現部分員工在居家遠程工作期間,違規連入內部研發系統,并通過手機或外部裝置截取并轉發機密技術資料。
供應鏈消息稱,外泄資料流向一名任職于日系設備公司的工程師 ,該人曾為臺積電系統整合部門前員工,與研發團隊仍保持密切聯系。由于該日系外商為臺積電重要的設備供應商之一,此事引發其總部高度關注 ,已派出高層與法務人員緊急進駐臺灣,與臺積電法務單位對接,全面清查資料來源、目的與影響范圍 。
有半導體業者分析 ,先進制程采用高度分工與模組化設計,單一站點資料難以復制整體制程,但若涉案者具備研發背景 ,并掌握2納米合格率調校的關鍵參數與制程條件,就可能大幅縮短競爭對手的追趕時程,尤其對正積極發展2納米的廠商而言 ,將成為重大突破口。
報道說,目前全球僅臺積電、三星 、英特爾與Rapidus4家企業持續投入2納米開發,預計臺積電最快將于2025年下半年啟動量產。該制程技術屬典型“核心關鍵技術 ”,一旦外泄 ,將改變全球芯片制程競爭格局。
(文章來源:上游新聞)
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