CPO概念股，漲勢兇猛！

　　最近幾個交易日 ，隨著貿易緊張情緒的緩解
，A股科技股持續(xù)上行，芯片、光刻機 、CPO等方向領漲。今日（10月27日）盤中 ，上述板塊再度拉升，CPO指數(shù)一度漲超4.70%
，光刻機板塊一度漲超5% 。

　　截至中午收盤，萬得CPO指數(shù)漲幅仍超過4%
。其中 ，新易盛
、生益科技、中際旭創(chuàng) 、東田微、源杰科技
、生益電子等相關概念股在盤中均創(chuàng)出歷史新高。光刻機板塊漲幅接近3%
，萬潤股份漲停，晶瑞電材漲超15% 。

　　從整體A股市場來看 ，滬指震蕩走強
，再創(chuàng)十年新高，逼近4000點大關。滬深兩市半日成交額1.57萬億 ，半日放量超3300億
。截至午間收盤
，滬指漲1.04%，深成指漲1.26% ，創(chuàng)業(yè)板指漲1.54%。午后開盤后
，A股三大指數(shù)繼續(xù)保持強勢 。

　　CPO概念股集體大漲

　　繼上周五大漲5%后，CPO指數(shù)今日再度拉升 ，盤中最高漲幅一度達到4.71%
。個股方面，東田微一度觸及20%漲停
，仕佳光子一度漲超15%，生益電子一度漲超13% ，新易盛一度漲超10%
，生益科技漲近10%，景旺電子、華工科技 、東山精密
、天孚通信、德明利 、工業(yè)富聯(lián)等紛紛跟漲。

　　當天盤中 ，近10只CPO概念股的股價創(chuàng)出歷史新高
，包括新易盛
、生益科技、中際旭創(chuàng) 、東田微
、源杰科技、生益電子 、德明利
、環(huán)旭電子等 。

　　消息面上，10月24日 ，中共中央舉行新聞發(fā)布會
，介紹和解讀黨的二十屆四中全會精神
。會上，科技部黨組書記、部長陰和俊表示 ，中國政府高度重視人工智能
，持續(xù)營造良好的創(chuàng)新生態(tài)，推動人工智能加快發(fā)展。

　　陰和俊表示 ，下一步，將認真貫徹落實《中共中央關于制定國民經濟和社會發(fā)展第十五個五年規(guī)劃的建議》要求
，持續(xù)加強“十五五 ”人工智能頂層設計和體系化部署 。繼續(xù)加強基礎研究和關鍵核心技術攻關，聚力開發(fā)新的模型算法 、高端算力芯片 ，不斷夯實人工智能發(fā)展的技術根基
。深入實施“人工智能+
”行動
，推動人工智能與科技創(chuàng)新、產業(yè)發(fā)展
、消費提質、民生保障等深度融合。

　　華安證券近日發(fā)布的研報指出，四中全會強調全面增強科技自主創(chuàng)新能力 ，可重點把握科技新一輪成長產業(yè)景氣的投資機會 。本輪產業(yè)周期以AI算力基建為代表
，具體可關注泛TMT 、算力（CPO/PCB/液冷/光纖）等
。開源證券也表示，隨著“十五五”規(guī)劃建議提出科技自主可控成為重點工作目標 ，國產算力板塊有望成為市場主線。同時持續(xù)看好AI浪潮下的存儲周期和消費電子的創(chuàng)新周期 。

　　另外
，全球算力高景氣度延續(xù)。10月23日，Anthropic與谷歌正式宣布價值百億美元的云服務合作協(xié)議 ，預計帶來百萬級谷歌定制TPU芯片
，并在2026年帶來預計1GW的AI算力
。有分析稱，這一事件凸顯出全球AI算力需求正呈現(xiàn)指數(shù)級增長 ，開發(fā)和訓練尖端AI系統(tǒng)的成本急劇飆升，也表明云服務提供商的自研芯片正成為英偉達之外不可忽視的力量。從全球AI算力產業(yè)鏈角度看
，此次合作進一步強化了“多元算力供應 ”趨勢 。

　　開源證券認為，上述合作有望提升Claude模型性能的同時 ，強化Anthropic和谷歌的合作關系
，也凸顯TPU芯片的性價比和泛用性
。海外各AI模型廠商加強與上下游合作，AI軍備競賽持續(xù) ，有望持續(xù)帶動算力產業(yè)鏈需求。

　　光刻機板塊也大幅異動

　　光刻機概念股今日盤中也大幅拉升
，板塊指數(shù)漲幅一度超過5% 。截至中午收盤，萬得光刻機指數(shù)漲幅仍接近3%
。個股方面 ，萬潤股份漲停
，晶瑞電材漲超15%，錦華新材漲近10% ，佳先股份
、迦南科技漲超8%
，南大光電、富創(chuàng)精密等漲超6%，江化微漲幅也接近6%。

　　消息面上 ，國家標準委網站顯示，我國首個EUV光刻膠標準——《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》作為擬立項標準
，10月23日開始公示，截止時間為11月22日 。標準的起草單位包括上海大學 、張江國家實驗室
、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團）股份有限公司
。

　　另據(jù)科技日報報道 ，近日
，北京大學彭海琳教授團隊及其合作者，通過冷凍電子斷層掃描技術 ，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結構 、界面分布與纏結行為
，分辨率優(yōu)于5納米。這一發(fā)現(xiàn)不僅揭示了光刻膠分子在溶液中的微觀物理化學行為，更指導開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產業(yè)化方案 ，有效清除了12英寸晶圓圖案表面的光刻膠殘留
，為提升光刻精度與良率開辟新路徑 。

　　彭海琳表示，光刻是芯片制造中關鍵的步驟之一 ，通俗理解
，光刻就是給半導體晶圓（比如硅片）“印電路”，核心是用超精密“投影儀
”把設計好的電路圖案 ，縮小后印在硅片的特殊薄膜上，再通過沖洗定型
。光刻是芯片制造的核心技術之一
，更是微納加工領域“皇冠上的明珠”。

　　顯影液則在電路圖案形成過程中發(fā)揮著重要作用 。在光刻膠顯影過程中，光刻膠的曝光區(qū)域會選擇性地溶解在顯影液的液膜中。液膜中光刻膠分子的吸附與纏結行為 ，是影響晶圓表面圖案缺陷形成的關鍵因素
，進而可直接影響芯片性能和良率
。

　　有券商指出，光刻膠作為半導體
、印制電路板、平板顯示等行業(yè)的基礎材料 ，其技術進步可以促進相關產業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展
，上游材料供應商 、設備制造商，中游光刻膠生產企業(yè) ，以及下游光刻膠產品應用企業(yè)都能從中受益。