碳化硅成為芯片散熱新路線 。

　　日前 ，華為公布兩項專利
，均涉及碳化硅散熱，包括《導熱組合物及其制備方法和應用》和《一種導熱吸波組合物及其應用》 ，兩項專利均用碳化硅做填料
，提高電子設備的導熱能力
。其中，前者應用領域包括電子元器件的散熱和封裝芯片（基板、散熱蓋） ，后者應用領域包括電子元器件 、電路板。

（圖片來源：國家知識產權局）

　　無獨有偶
，此前有媒體爆料稱，英偉達在其新一代Rubin處理器設計中 ，將CoWoS先進封裝的中間基板材料從硅更換為碳化硅，以提升散熱性能
，并預計2027年開始大規模采用 。

　　碳化硅導熱能力強大

　　碳化硅材料具有優異的導熱性能，僅次于金剛石
。公開資料顯示 ，碳化硅熱導率達500W/mK
，相比之下，硅的熱導率僅為約150W/mK ，陶瓷基板熱導率約200W/mK~230W/mK。此外
，碳化硅熱膨脹系數與芯片材料高度契合，既能高效散熱 ，又能保障封裝穩定性 。

　　隨著AI芯片功率持續提升
，散熱難題擺在各大科技公司面前
。英偉達GPU芯片功率從H200的700W提高到B300的1400W，而CoWoS封裝技術又將多個芯片（如處理器
、存儲器等）高密度地堆疊集成在一個封裝內 ，顯著縮小了封裝面積
，這對芯片封裝散熱提出更高要求。

　　中介層的散熱能力成為AI芯片瓶頸，Rubin系列芯片中 ，集成HBM4的多芯片產品功率已經接近2000W 。

　　東方證券指出，中介層是CoWoS封裝平臺的核心部件之一
，目前主要由硅材料制作。隨著英偉達GPU芯片的功率越來越大，將眾多芯片集成到硅中介層將導致更高的散熱性能要求 ，而如果采用導熱率更好的碳化硅中介層
，其散熱片尺寸有望大幅縮小，優化整體封裝尺寸
。

　　數據顯示 ，采用碳化硅中介層后
，可使GPU芯片的結溫降低20℃~30℃，散熱成本降低30% ，有效防止芯片因過熱降頻
，保證芯片的算力穩定輸出。因此，碳化硅有望成為解決高功率芯片散熱瓶頸的理想材料 。

　　碳化硅應用領域從電力電子擴展到封裝散熱 ，打開了市場增量空間
。東吳證券測算
，以當前英偉達H100 3倍光罩的2500mm²中介層為例，假設12英寸碳化硅晶圓可生產21個3倍光罩尺寸的中介層 ，2024年出貨的160萬張H100若未來替換成碳化硅中介層，則對應76190張襯底需求。

　　概念股大幅上漲

　　A股市場方面
，由于英偉達切入碳化硅散熱領域，相關概念股9月以來大幅上漲 ，其中
，露笑科技、天岳先進9月以來漲幅均超過30%，晶盛機電 、天通股份漲幅均超過20% ，天富能源
、英唐智控漲幅均超10% 。

　　碳化硅散熱成為市場熱點
，近期多家公司在投資者互動平臺就散熱領域布局做出回應
。

　　天岳先進表示，公司在前瞻性技術創新上繼續布局 ，除供應應用于功率器件、射頻器件的碳化硅襯底材料外
，公司還廣泛布局了光波導 、TF-SAW濾波器
、散熱部件等新興領域的碳化硅產品及技術。

　　三安光電表示，公司持續推進碳化硅襯底在AI/AR眼鏡、熱沉散熱等方向的應用 ，熱沉散熱用碳化硅材料早已開始研發
，目前處于送樣階段 。

　　據證券時報·數據寶統計，今年以來 ，多只碳化硅概念股獲得投資者頻繁調研，其中晶盛機電 、時代電氣、瑞納智能獲得6次調研
。

　　晶盛機電在近期的調研中表示
，公司已實現12英寸導電型碳化硅單晶生長技術突破，成功長出12英寸碳化硅晶體。

　　時代電氣在9月調研中表示 ，當前公司已經擁有一條6英寸碳化硅芯片產線
，具備年產2.5萬片6英寸碳化硅芯片產能 。

　　據數據寶統計，9月以來 ，多只碳化硅概念股獲融資資金加倉
，通富微電
、露笑科技、天岳先進 、英唐智控
、天通股份5股獲加倉金額均超過3億元
。

　　通富微電加倉金額最高，達到7.01億元 ，最新融資余額為26.34億元。公司是國內芯片封測龍頭之一
，2023年公司配合意法半導體等行業龍頭，完成了碳化硅模塊自動化產線的研發并實現了規模量產 。

　　露笑科技獲加倉4.16億元 ，最新融資余額為13.27億元。公司碳化硅業務主要為6英寸導電型碳化硅襯底片的生產、銷售
。