9月4日至9月6日 ，第十三屆半導體設備與核心部件及材料展（下稱：CSEAC 2025）正在無錫舉行 。

　　期間
，中微公司發布6款半導體設備新產品，覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等工藝
。

　　中微公司董事長兼總經理尹志堯在該展會主旨演講環節表示 ，目前
，中微公司在研項目涵蓋六大類 、超二十款新設備，過去一款新設備的開發周期通常為3-5年 ，如今僅需2年
，甚至更短時間就能推出具有市場競爭力的產品并順利落地。

　　就整個行業而言，當前 ，國內半導體設備市場競爭格局呈現頭部企業領跑，新興力量加速突圍的特征 。

　　▍新產品對標國際巨頭

　　中微公司主營產品為刻蝕設備
、薄膜沉積設備
，以及MOCVD設備等泛半導體設備，產品開發方向較為縱深
。

　　在刻蝕技術方面 ，中微公司展示了其新一代高深寬比等離子體刻蝕設備CCP電容性高能等離子體刻蝕機Primo UD-RIE®和Primo Menova12寸ICP單腔刻蝕設備。

　　CSEAC 2025期間
，中微公司現場展臺工作人員表示，“Primo UD-RIE®定價高于行業常規水平 ，是常規此類產品價格的好幾倍 。 ”另據其透露
，本次展示的Primo Twin-Star® 為中微首創機型
。當前大多海外企業追求技術迭代而沒有在成本和機臺設計上進行創新。此機型首批設備由中國臺灣某企業采購 。

　　據了解，今年6月 ，Primo Menova12寸ICP全球首臺機已付運到客戶認證
，進展順利，并和更多的客戶展開合作。

　　在薄膜沉積領域 ，中微公司推出的12英寸原子層沉積產品Preforma Uniflash®金屬柵系列
，該系列涵蓋Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大產品，能夠滿足先進邏輯與先進存儲器件在金屬柵方面的應用需求
。在新型技術領域 ，中微公司發布的全球首款雙腔減壓外延設備PRIMIO Epita® RP。

　　上述工作人員表示，去年
，中微就開始了Preforma Uniflash®系列產品研發，且正持續研發新一代機型 ，預計明年推出第二代產品 。“從金屬材料到設備結構均實現自主設計
，公司產品和海外同類型企業沒有變化，甚至在研發的時候思考更清晰 ，表現效果也更好
。
”

　　另有其工作人員向《科創板日報》記者表示
，產品在本屆大會上大多產品雖以新品發布的形式向公眾展示，但實際部分產品已于去年開始銷售。據悉 ，中微公司雙腔減壓外延設備 PRIMIO Epita® RP在2024年8月已付運到客戶進行成熟制程和先進制程驗證
，進展順利 。

　　有業內人士向《科創板日報》記者表示，中微新產品直接對標國際巨頭 ，刻蝕設備Primo UD-RIE®與泛林半導體（Lam Research）的深硅刻蝕機競爭
，后者在5nm以下制程占主導
。ALD設備Preforma Uniflash®系列挑戰應用材料（AMAT）的Endura®系列，后者在金屬柵沉積領域市占率超60%。外延設備PRIMIO Epita® RP與東京電子（TEL）的EPI設備形成差異化競爭 。

　　除中微公司外 ，其他國產半導體設備龍頭本次也展出新產品
。

　　《科創板日報》記者注意到，北方華創展示了多款設備與工藝解決方案
，涵蓋集成電路領域的8英寸 、12英寸設備，以及三維集成
、先進封裝等相關方案；拓荊科技則展出了多款新品 ，具體包含12英寸等離子體增強化學氣相沉積設備、晶圓激光剝離設備12英寸等離子體原子層沉積設備
，以及晶圓對晶圓混合鍵合設備。

　　▍半導體設備研發迭代加速

　　多款新品的推出與高額的研發投入密不可分 。

　　以中微公司為例，今年上半年 ，該公司研發投入達14.92億元
，同比增長約53.70%，研發投入占公司營業收入比例約為30.07%
。

　　在過去的20年間 ，中微公司共計開發了3代 、18款刻蝕機。在等離子體刻蝕這一品類
，中微公司目前基本可全面覆蓋不同應用，包括成熟及先進邏輯器件
、閃存、動態存儲器 、特殊器件等 ，且已有95%到99%的應用都有了批量生產的數據 。

　　薄膜設備方面
，中微公司規劃了近40種導體薄膜沉積設備的開發。據中微公司董事長尹志堯于今年5月介紹，該公司預計很快將會把國際對國內禁運的20多種薄膜設備開發完成 ，預計到2029年完成所有開發
。

　　另據《科創板日報》記者統計，在A股22家半導體設備上市企業中
，16家研發投入實現同比正增長；研發投入規模上，北方華創今年上半年以32.18億元的研發投入位居首位 ，同比增長30.01%。

　　業內人士表示
，**半導體設備新品產出速度與研發投入的行業趨勢研發提速主要有兩方面原因：

　　一是GAA晶體管等新工藝需求推動設備升級，促進技術迭代；二是國際形勢促進加速自主化 ，2025年國產設備市占率或突破30% 。該業內人士同時表示
，半導體設備核心零部件仍依賴進口，高研發投入短期影響利潤
。**

　　CSEAC 2025期間 ，北京北方華創微電子裝備有限公司總裁陳吉表示
，多年來，北方華創推動多款國產設備完成導入與驗證 ，但部分客戶為保障自身生存、維持現金流穩定
，最終仍選擇采購海外設備?！霸诒狈饺A創及其他國產設備尚未實現完全替代的當下，這也是無奈之舉 。但從長遠來看 ，晶圓廠（Fab）設備的國產化是必然趨勢
。”

　　據SemiAnalysis統計，2025年第二季度
，全球前五大半導體設備WFE公司（即：Lam
、KLA、AMAT 、ASML
、TEL）在華收入環比增長12.6億美元。除東京電子（TEL）外，其余公司在華收入均實現環比增長 。應用材料公司（AMAT）表示 ，2025年第一季度或第三季度的中國收入水平預示著未來幾個季度中國市場的增長
。

　　▍國產頭部設備廠領跑

　　當前
，國內半導體設備市場競爭格局呈現頭部企業領跑，新興力量加速突圍的特征。多名業內人士認為 ，企業推出新品的速度與自身研發投入是其搶占市場的關鍵 。

　　目前在半導體裝備業務板塊
，北方華創的主要產品包括刻蝕、薄膜沉積 、熱處理
、濕法、離子注入 、涂膠顯影
、鍵合等核心工藝裝備，廣泛應用于集成電路、功率半導體 、三維集成和先進封裝
、化合物半導體、新型顯示等制造領域
。

　　其中 ，北方華創刻蝕設備和薄膜沉積設備
，仍具備國內先進實力。北方華創刻蝕設備已實現硅 、金屬、介質刻蝕機全覆蓋，計劃推出12英寸雙大馬士革CCP介質刻蝕機 ，預計將拓展在存儲
、CIS和功率半導體等多個領域的新業務 。薄膜沉積設備
，則實現了對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋，實現功率半導體、三維集成和先進封裝 、新型顯示
、化合物半導體等多個領域的量產應用 ，12寸先進集成電路制程金屬化薄膜沉積設備實現量產突破。

　　薄膜沉積設備領域不容小覷的另一家行業龍頭還有拓荊科技
。該公司自設立以來，一直聚焦薄膜沉積設備。其形成了PECVD、ALD 、SACVD
、HDPCVD及Flowable CVD等薄膜設備系列產品
，在集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造等領域得到廣泛應用 。

　　與此同時，拓荊科技近年還開發了應用于三維集成領域的先進鍵合設備及配套量檢測設備
。

　　有業內人士認為 ，從市場競爭角度分析
，在競爭激烈的半導體設備市場，新品產出速度快 、研發投入大的公司能夠更快地推出具有競爭力的產品 ，搶占市場份額。如果一家公司不能及時推出新產品
，就可能被競爭對手超越，失去市場優勢 。因此 ，加大研發投入和加快新品產出是公司在市場中生存和發展的必要手段
。

（文章來源：財聯社）