| 代碼 | 名稱 | 當前價 | 漲跌幅 | 最高價 | 最低價 | 成交量(萬) |
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“這次漲價的特別之處在于,我在這個行業(yè)這么多年,之前從未見過漲價周期能夠持續(xù)這么久。”國內(nèi)一家存儲模組廠的員工近日向財聯(lián)社記者感嘆道。
眼下 ,存儲芯片市場正經(jīng)歷一場由AI驅(qū)動的、前所未有的全面缺貨與漲價潮 。這場始于上半年的漲勢,進入第四季度非但沒有趨緩,反而有進一步加劇的跡象。
有存儲產(chǎn)業(yè)鏈人士告訴財聯(lián)社記者 ,目前部分存儲原廠已經(jīng)對部分DRAM和Flash產(chǎn)線采取暫停報價策略;漲價壓力亦已傳導至終端市場,小米集團創(chuàng)始人雷軍24日在微博上直言,“最近內(nèi)存漲價實在太多”。
究其原因 ,此輪漲價的核心驅(qū)動力并非簡單的周期性波動,而是以HBM為代表的AI需求爆發(fā),正徹底打破存儲行業(yè)的傳統(tǒng)供需平衡 。
TrendForce集邦咨詢分析師許家源向財聯(lián)社記者指出 ,原廠產(chǎn)能正優(yōu)先分配給高階Server DRAM和HBM,從而擠壓了傳統(tǒng)消費電子所需的DDR4、LPDDR4X等舊制程產(chǎn)品供給,DDR4的緊缺或持續(xù)到26年的H1。對于國內(nèi)廠商而言 ,許家源認為模組廠已積極儲備顆粒及晶圓(wafer)庫存,國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈正試圖通過積極囤貨和調(diào)漲價格,迎接這場結(jié)構(gòu)性景氣新時代。
四季度漲勢超預(yù)期:AI驅(qū)動“計劃性犧牲 ”引發(fā)供應(yīng)結(jié)構(gòu)失衡
眾所周知,存儲行業(yè)周期性極強 ,大漲后往往伴隨著低迷 。而今年,存儲芯片價格的上漲已持續(xù)超過半年,進入四季度 ,其漲勢非但沒有趨緩,反而因多重因素疊加而進一步加劇。
CFM閃存市場最新報價顯示,產(chǎn)業(yè)上游成本的急速攀升 ,DDR4 16Gb 3200現(xiàn)貨報價本周已達到13.00美元,較上周暴漲30%;同時,512Gb Flash Wafer價格10月以來累計漲幅也已超過20%。
有存儲產(chǎn)業(yè)鏈人士向財聯(lián)社記者透露 ,目前原廠的部分DRAM和Flash產(chǎn)品已經(jīng)處于停止報價狀態(tài),就算報價,價格有效期也很短 ,“一天一個價”她說 。
許家源則向記者預(yù)計,DRAM的整體價格(加計HBM)在第四季度將季增13%-18%。
多位存儲從業(yè)人士均向記者表示,這種產(chǎn)業(yè)鏈全面上漲如此之長時間的“超級周期”,此前見所未見。
資本市場亦對這輪“超級周期 ”反應(yīng)熱烈 。10月24日 ,A股存儲芯片概念再度爆發(fā),普冉股份(688076.SH) 、香農(nóng)芯創(chuàng)(300475.SZ)強勢20%漲停,佰維存儲(688525.SH)、江波龍(301308.SZ)等漲超10%。
AI驅(qū)動的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移引發(fā)產(chǎn)品供應(yīng)的結(jié)構(gòu)性失衡是此輪漲價的核心邏輯。
AI大模型的發(fā)展 ,帶動著產(chǎn)業(yè)鏈對于GPU等基礎(chǔ)設(shè)施的需求。摩根士丹利日前預(yù)測,今年科技巨頭在AI基礎(chǔ)設(shè)施上的投入將達到4000億美元 。這創(chuàng)造了存儲芯片的海量需求。Yole Group預(yù)計,2025年 ,主要用于GPU生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品的營收預(yù)計將接近翻倍,達到約340億美元;HBM 市場將在2030年前保持33%的年復(fù)合增長率,屆時其營收將超過 DRAM 市場總營收的50%。
而由于HBM所消耗的晶圓容量是標準DRAM的三倍多 ,在總產(chǎn)能有限的情況下,迫使存儲巨頭們將產(chǎn)能重點轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM和DDR5 。許家源告訴財聯(lián)社記者,原廠已將產(chǎn)能優(yōu)先保障生產(chǎn)Server DRAM及HBM。
因此 ,隨著原廠將產(chǎn)能優(yōu)先轉(zhuǎn)移至火熱的高價值產(chǎn)品,DDR4、LPDDR4X等舊制程產(chǎn)品則開始面臨“計劃性犧牲”而供應(yīng)緊缺,產(chǎn)品漲價范圍也從需求暴增的HBM擴大至整個存儲市場。
多位模組廠人士向記者表示,從今年一季度開始 ,DDR4的原廠價格持續(xù)走高 。根據(jù)慢慢買App,一款金士頓(Kingston)的DDR4臺式機內(nèi)存條,價格從今年3月開始急速上漲 ,目前售價已超去年同期兩倍。
手機等終端市場也對存儲漲價產(chǎn)生反饋。23日發(fā)售的Redmi K90系列手機部分版本售價較上一代上調(diào)了100-400元不等,小米集團總裁盧偉冰對此公開表示,來自上游的成本壓力 ,已真實的傳導到了其新品定價上 。他坦言,無法改變?nèi)蚬?yīng)鏈的走勢,存儲成本上漲也遠高于預(yù)期 ,且會持續(xù)加劇,但小米希望這份誠意能夠讓大家理解。
許家源指出,未來 ,DDR4供給預(yù)計將持續(xù)緊缺,至少延續(xù)至1H26。威剛董事長陳立白也在日前公開表示,看好第四季才是存儲大多頭的起點,也是存儲嚴重缺貨的開始 ,明年產(chǎn)業(yè)榮景可期 。
對于這種情況,許家源告訴記者,不少下游廠商已經(jīng)在想辦法應(yīng)對。其中 ,PC OEMs正在加速導入DDR5機種來應(yīng)對,而TV 、網(wǎng)通等Consumer領(lǐng)域則放緩了由DDR3轉(zhuǎn)至DDR4的進程。
國內(nèi)模組廠積極囤貨待漲
在這輪由AI開啟的行業(yè)新周期中,國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈的各環(huán)節(jié)正積極調(diào)整策略 ,試圖擴大盈利能力并提升市場地位。
此次“超級周期”對各個生產(chǎn)環(huán)節(jié)影響存在明顯差異 。首先,對于模組廠而言,囤貨成為應(yīng)對漲價、確保盈利的關(guān)鍵。江波龍證券部人士告訴財聯(lián)社記者 ,上游漲價對公司的毛利率有正向的貢獻,因為公司提前有存貨。許家源也表示,八月以來模組廠已積極儲備顆粒及晶圓(wafer)庫存、并調(diào)漲模組產(chǎn)品定價 。
不過 ,并非所有模組廠商都采取大規(guī)模囤貨的政策。朗科科技證券部人士表示,公司采取“清庫存 ”的運營模式,庫存量相對同行要少一些,因此業(yè)績波動性會小一些。
芯片設(shè)計公司和分銷商則更依靠于產(chǎn)業(yè)鏈的價格傳導 。
普冉股份(688076.SH)證券部人士向財聯(lián)社記者表示 ,公司正與下游客戶商談漲價,“四季度開始有一些供給緊張,然后肯定是跟下游商談 ,想要博弈去看一下是不是能有漲幅。”
分銷商的香農(nóng)芯創(chuàng)(300475.SZ)證券部人士表示,公司就分銷業(yè)務(wù)而言,毛利水平基本上是穩(wěn)定的 ,但上游采購價格上漲,分銷給下游的價格也會上漲,“存儲的行情影響 ,對我們影響更多的是量帶來的變化,毛利的變化不會特別大。”
值得注意的是,國際原廠的漲價需求已傳導至國內(nèi)晶圓廠 。國內(nèi)一家存儲大廠人士向財聯(lián)社記者表示 ,國外原廠漲價令部分國產(chǎn)廠商轉(zhuǎn)向國內(nèi)晶圓廠。在這種背景下,原廠獲利顯著擴大已是行業(yè)共識。
最后,在這種結(jié)構(gòu)性變革中,國產(chǎn)廠商也正加速擁抱AI新周期 。
除積極擴大企業(yè)級SSD等產(chǎn)品的供應(yīng) ,國內(nèi)企業(yè)正將目光聚焦于HBM 、先進封裝和服務(wù)器DDR5等高附加值領(lǐng)域,力圖在國際大廠戰(zhàn)略性調(diào)整產(chǎn)能之際抓住機遇。
目前,國產(chǎn)HBM產(chǎn)業(yè)鏈上較成熟的環(huán)節(jié)在于檢測設(shè)備、先進封裝等。賽騰股份(603283.SH)日前在投資者平臺表示 ,公司HBM檢測設(shè)備已得到海外大客戶的認可并已批量出貨,國內(nèi)市場正在積極開拓中;中微公司(688012.SH)此前也公開表示,已在先進封裝領(lǐng)域(包含高寬帶存儲器HBM工藝)全面布局 ,包含刻蝕、CVD 、PVD、晶圓量檢測設(shè)備等,且已經(jīng)發(fā)布CCP刻蝕及TSV深硅通孔設(shè)備。
此外,佰維存儲日前表示 ,公司的晶圓級先進封測制項目正處于投產(chǎn)準備過程中,項目建設(shè)完成后將為客戶提供“存儲+晶圓級先進封測 ”一站式綜合解決方案,進一步提升公司在存算整合領(lǐng)域的核心競爭力 。
許家源預(yù)測 ,隨著各大原廠的HBM產(chǎn)能釋放,雖然預(yù)計2026年HBM3e可能面臨供過于求壓力,但新世代的HBM4具有技術(shù)門檻,仍呈供不應(yīng)求態(tài)勢。
(文章來源:財聯(lián)社)
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