| 代碼 | 名稱 | 當(dāng)前價 | 漲跌幅 | 最高價 | 最低價 | 成交量(萬) |
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中信建投研報稱 ,隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更先進(jìn)制程邁進(jìn),芯片尺寸縮小而功率激增,“熱點(diǎn) ”問題突出 ,芯片表面溫度過高會導(dǎo)致安全性和可靠性下降,催生對高效散熱方案的需求 。金剛石是理想散熱材料,熱導(dǎo)率可達(dá)2000W/mK ,是銅 、銀的4—5倍,也是硅、碳化硅等半導(dǎo)體材料的數(shù)倍至數(shù)十倍,且兼具高帶隙、極高電流承載能力 、優(yōu)異機(jī)械強(qiáng)度與抗輻射性 ,在高功率密度、高溫高壓等嚴(yán)苛場景中優(yōu)勢顯著。其應(yīng)用形式包括金剛石襯底、熱沉片及帶微通道的金剛石結(jié)構(gòu),可適配半導(dǎo)體器件 、服務(wù)器GPU等核心散熱需求。在制備上,化學(xué)氣相沉積法(CVD)為主流,可生產(chǎn)單晶、多晶、納米金剛石 ,國內(nèi)外企業(yè)已開發(fā)相關(guān)產(chǎn)品 。伴隨算力需求提升與第三代半導(dǎo)體發(fā)展,未來金剛石在高端散熱市場空間廣闊。
全文如下液冷散熱系列報告二:金剛石材料——高效散熱破局之選
核心觀點(diǎn):隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更先進(jìn)制程邁進(jìn),芯片尺寸縮小而功率激增 ,“熱點(diǎn)” 問題突出,芯片表面溫度過高會導(dǎo)致安全性和可靠性下降,催生對高效散熱方案的需求。金剛石是理想散熱材料 ,熱導(dǎo)率可達(dá)2000W/mK,是銅 、銀的 4-5 倍,也是硅、碳化硅等半導(dǎo)體材料的數(shù)倍至數(shù)十倍 ,且兼具高帶隙、極高電流承載能力、優(yōu)異機(jī)械強(qiáng)度與抗輻射性,在高功率密度 、高溫高壓等嚴(yán)苛場景中優(yōu)勢顯著 。其應(yīng)用形式包括金剛石襯底、熱沉片及帶微通道的金剛石結(jié)構(gòu),可適配半導(dǎo)體器件、服務(wù)器 GPU 等核心散熱需求。在制備上 ,化學(xué)氣相沉積法(CVD)為主流,可生產(chǎn)單晶 、多晶、納米金剛石,國內(nèi)外企業(yè)已開發(fā)相關(guān)產(chǎn)品。伴隨算力需求提升與第三代半導(dǎo)體發(fā)展,未來金剛石在高端散熱市場空間廣闊 。
芯片“熱點(diǎn)”問題亟待解決。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循著摩爾定律逐步向2納米、1納米甚至是埃米級別邁進(jìn) ,尺寸不斷縮小,功率不斷增大,帶來了前所未有的熱管理挑戰(zhàn)。芯片在運(yùn)行過程中會產(chǎn)生大量熱量 ,若散熱不及時芯片溫度將急劇上升,進(jìn)而影響其性能和可靠性。芯片內(nèi)部熱量無法有效散發(fā)時,局部區(qū)域會形成“熱點(diǎn) ” ,導(dǎo)致性能下降 、硬件損壞及成本激增 。
金剛石是良好的散熱材料。傳統(tǒng)金屬散熱材料(如銅、鋁)雖然導(dǎo)熱性能較好,但其熱膨脹系數(shù)與高導(dǎo)熱、輕量化要求難以兼顧。金剛石作為一種散熱材料,它的熱導(dǎo)率可以達(dá)到2000W/m·K ,是硅(Si) 、碳化硅(SiC)和砷化鎵(GaAs)熱導(dǎo)率的13倍、4倍和43倍,比銅和銀的熱導(dǎo)率高出4-5倍 。在熱導(dǎo)率要求比較高時,金剛石是唯一可選的熱沉材料。金剛石作為散熱材料主要有三種應(yīng)用方式:金剛石襯底、熱沉片以及在金剛石結(jié)構(gòu)中引入微通道。
金剛石作為半導(dǎo)體襯底材料優(yōu)勢顯著 。1)高熱導(dǎo)率:金剛石在目前已知材料中熱導(dǎo)率最高 ,能在高功率密度設(shè)備中有效散熱。2)高帶隙:金剛石的帶隙約為5.5eV,能夠在高溫 、高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作,特別適用于高溫/高功率電子設(shè)備。3)極高的電流承載能力:金剛石的電流承載能力遠(yuǎn)超傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料,能適應(yīng)高電流應(yīng)用 。4)優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度:金剛石的硬度和抗磨損性使其在苛刻的工作條件下能夠保持穩(wěn)定性能 ,增加器件的可靠性和壽命。5)抗輻射性:金剛石的抗輻射性使其適合用于空間、核能等高輻射環(huán)境中。
風(fēng)險提示:AI發(fā)展不及預(yù)期;新產(chǎn)品市場開拓風(fēng)險;宏觀經(jīng)濟(jì)波動風(fēng)險;政策與標(biāo)準(zhǔn)變化 。
(文章來源:人民財訊)
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