當地時間5月21日 ，納微半導體宣布與英偉達合作開發下一代800伏高壓直流（HVDC）架構
，為包括Rubin Ultra在內的GPU提供支持的“Kyber ”機架級系統供電。消息一發布，納微半導體美股盤后漲超180% 。

　　在數據中心電源方面 ，英偉達另一個重要合作伙伴是維諦技術
。5月20日，維諦技術宣布計劃在2026年下半年推出800 VDC電源產品系列
，支撐英偉達NVIDIA整機柜計算平臺。

　　與維諦技術不同的是，納微半導體專注于下一代功率半導體技術 ，致力于開發高性能的氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件
，產品廣泛應用于電動汽車 、數據中心
、太陽能、儲能 、家用電器及工業制造等領域 。納微半導體的氮化鎵和碳化硅技術可在一定程度上大幅提升“Kyber
”機架級系統的能效比、散熱管理和系統可靠性，將在與英偉達的合作中發揮關鍵作用。

　　氮化鎵作為第三代寬禁帶半導體材料 ，具有高電子遷移率和耐高溫特性
，極大地提升了電源轉換效率和系統穩定性；

　　碳化硅則以其優異的耐壓和導熱性能，為高壓直流架構提供了堅實的技術支撐
。

　　值得注意的是 ，碳化硅產業正邁入產能擴張與價格博弈的深水區
，一方面，碳化硅晶圓龍頭Wolfspeed由于一直無法解決債務危機 ，將在數周內申請破產；另一方面
，中國廠商正在快速崛起，多家供應商在具備6英寸產品量產能力的同時 ，與海外IDM大廠達成合作：例如天岳先進
、天科合達之前已分別就碳化硅與英飛凌簽訂供應協議，三安光電與意法半導體位于重慶的8英寸碳化硅晶圓合資廠則剛剛于今年3月正式通線。

　　AI電力需求呼喚革命性解決方案 HVDC產業趨勢進一步得到驗證

　　在人工智能（AI）行業迎來技術革新浪潮的背景下
，AI模型規模不斷擴大，算力需求激增 ，高性能GPU的電源管理成為關鍵瓶頸 。傳統的數據中心架構使用傳統的54V機架內配電系統
，功率限制在幾百千瓦（kW），當功率增加到200kW以上時 ，這種架構因功率密度、銅材需求和系統效率降低等問題而達到物理極限
。

　　光大證券日前發布研報稱
，此前市場對于AI數據中心供電方案發展趨勢存在分歧，而維諦技術日前宣布計劃發布800VDC電源產品系列以匹配英偉達技術路線 ，進一步驗證HVDC產業趨勢。隨著未來機架功率提升
，HVDC在AI數據中心優勢將充分凸顯，其滲透率有望持續提升 。

　　HVDC未來有望逐步替代UPS ，主要有以下幾點原因：

　　1）AI技術發展推動服務器機架功率持續提升
，隨著機架功率超過300kW，HVDC技術通過減少銅材使用量 、降低電流以及減少熱損耗 ，能夠實現更高效
、集中化的電力輸送；

　　2）HVDC相較于交流UPS省去了逆變環節，有利于降低電能損耗、提高可靠性；

　　3）HVDC系統在占地面積 、建設成本
、運營成本上均優于UPS
。

　　該機構認為
，隨著AI迅猛發展和算力需求急劇增加，AI數據中心供配電系統面臨著效率和節地等指標進一步提升的迫切需求 ，以上因素將持續推動數據中心供電技術方案由UPS向HVDC發展
，未來HVDC在AI數據中心的滲透率有望持續提升。國內公司中：

　　1）中恒電氣：國內HVDC頭部企業，與阿里巴巴深度合作 ，市場份額保持領先；

　　2）禾望電氣：具備成熟電力電子技術經驗；

　　3）盛弘股份：積極推進HVDC相關產品研發及客戶驗證工作
，且APF產品在HVDC產業趨勢下將充分受益；

　　4）四方股份：固態變壓器（SST）產品與HVDC方案適配；

　　5）麥格米特：在GTC2025大會發布800VDC電源解決方案；

　　6）科華數據、科士達：擁有HVDC技術儲備 。

（文章來源：財聯社）