①韓國芯片制造商SK海力士展示了針對人工智能行業的下一代NAND存儲產品策略；②為此，海力士將推出AI-NAND（AIN）系列的產品線來滿足客戶需求；③該系列產品分別優化了性能 、帶寬和容量 ，以提升數據處理速度和存儲容量。

　　韓國芯片制造商SK海力士周一（10月27日）表示，該公司在“2025 OCP全球峰會 ”中展示了針對人工智能行業定制的下一代NAND存儲產品的策略 。

　　SK海力士周一在一份聲明中表示
，“隨著人工智能推理市場的迅速發展，人們對那些能夠快速、高效地處理大量數據的NAND存儲產品的需求也正在急劇增長。”

　　該公司指出 ，其將通過推出AI-NAND（AIN）系列的產品線來滿足客戶需求
，這些產品是“為人工智能時代量身定制的解決方案
”
。

　　AIN產品線

　　具體來看，AIN系列產品在性能（Performance）
、帶寬（Bandwidth）、容量（Density）三方面分別優化了NAND閃存解決方案產品 ，旨在提升數據處理速度
，并實現存儲容量最大化。

　　其中，AIN P是一款專為大規模人工智能推理環境中海量數據的輸入與輸出而打造的高效解決方案 。該方案通過將AI運算與存儲之間的瓶頸盡量減少 ，顯著提升了處理速度與能效
。為此
，公司正在以全新架構重新設計NAND閃存與控制器，并計劃于2026年底推出樣品。

　　而AIN D則是一款旨在以低功耗 、低成本實現海量數據存儲的高容量解決方案 ，特別適用于人工智能數據的存儲 。相較于現有基于QLC的TB級的SSD
，AIN D可將存儲容量提升至最高PB級，同時兼顧SSD的高速性能與HDD的經濟性 ，成為一種中間層存儲產品
。

　　最后，AIN B是一款通過堆疊NAND閃存以擴大帶寬的解決方案產品。該產品采用了公司名為HBF的技術 。據悉
，HBF（高帶寬閃存，High Bandwidth Flash）與堆疊DRAM芯片的HBM（高帶寬存儲器）相似 ，是一種通過堆疊NAND閃存而制成的產品
。

　　SK海力士的首席開發官Ahn Hyun表示
，“在下一代NAND存儲市場中，SK海力士將與客戶和合作伙伴密切合作 ，以成為這一領域的關鍵參與者。”

（文章來源：財聯社）