| 代碼 | 名稱 | 當前價 | 漲跌幅 | 最高價 | 最低價 | 成交量(萬) |
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周一(10月27日)高帶寬內存(HBM)板塊狂漲近4% ,精智達漲超15%,拓荊科技 、聯瑞新材漲超10%,香農芯創、雅克科技等跟漲 。
所謂高帶寬內存(HBM ,High Bandwidth Memory)是一種專為高性能計算和圖形密集型應用設計的DRAM技術。HBM通過采用3D堆疊封裝技術和硅通孔(TSV)技術,將多個DRAM芯片垂直堆疊在一起,顯著提升數據傳輸的帶寬和效率 ,同時保持較低的功耗,這種結構不僅增加了存儲密度,還縮短了數據傳輸路徑 ,實現了高速數據通信。
隨著大模型參數規模與訓練數據量的爆炸式增長,傳統內存技術已成為制約算力發揮的“內存墻 ”,而HBM憑借其超高帶寬、低功耗和小體積特性,正成為AI芯片的主流選擇 。
三大原廠已布局 HBM供應緊缺
綜合消息面看 ,全球內存三大原廠均已深度布局高帶寬內存。
在日前的財報會上,美光特別強調,預計半導體芯片 、特別是HBM的供不應求情況將會加劇。公司CEO Sanjay Mehrotra透露 ,當前半導體存儲領域,DRAM庫存已低于目標水平,NAND庫存持續下滑;而HBM產能需求增長顯著 ,產能已被鎖定,預計2026年HBM出貨量增速將超過整體DRAM水平,成為半導體存儲板塊的核心增長驅動力 。
具體HBM產品中 ,美光表示,已與幾乎所有客戶就2026年絕大部分HBM3E產能達成定價協議;公司正在與客戶就HBM4進行討論,供應“非常緊張”。
SK海力士也維持2025年HBM收入同比翻倍目標不變 ,12Hi HBM3e產品今年仍占主導,公司指引2024-2028年HBM收入CAGR為50%;公司目前已經向客戶提供首批HBM4樣品驗證
三星財報顯示,25Q2 HBM 銷量環比增長約 30%,其中 HBM3E 產品占比擴大至超 80% ,公司預計 25H2 HBM3E 銷售占比超 90%;公司表示 HBM4已經完成開發,向主要客戶送樣
HBM3E成主流國內廠商已布局
長江證券研報顯示,HBM3E代際為當前主流 ,據TrendForce預測,2025年HBM3E市場份額大幅提升,占比有望超過95%。
TrendForce預測 ,2026年HBM市場總出貨量預計將突破30 Billion Gb,HBM4的市占率則隨著供應商持續放量而逐季提高,預計于2026年下半年正式超越HBM3e系列產品 ,成為市場主流 。
據東方證券研報,長鑫存儲計劃在2025年底前交付第四代高帶寬存儲器樣品(HBM3),并預計從2026年開始全面量產;此外 ,長鑫存儲還設定了2027年開發第五代HBM(HBM3E)的目標。先進存儲的持續突破,將帶動產業鏈上游設備行業的需求快速增長,國產設備有望深度受益。
國元證券近期研報顯示,長江存儲正積極尋求技術突破 ,計劃開發用于生產HBM(高帶寬內存)的關鍵技術——TSV先進封裝,并考慮將其新建的武漢工廠部分用于生產DRAM芯片。
此外,華為也在近期宣布 ,自昇騰950PR開始,昇騰AI芯片將采用華為自研的HBM 。其中,昇騰950搭載自研的HBM HiBL 1.0;昇騰950DT升級至HBM HiZQ 2.0。
杠桿資金搶籌 多股年內已翻倍
東方財富Choice數據顯示 ,高帶寬內存板塊自10月17日反彈以來,12只個股獲得杠桿資金搶籌,其中拓荊科技排名第一 ,融資凈買入近6億元,該股年內至今漲幅已經翻倍;香農芯創排名第二,融資凈買入近5億元 ,年內之間漲幅超370%。
中微公司、雅克科技、炬光科技 、北方華創、盛美上海、中巨芯-U等個股融資凈買額在1.7億元至4000萬元之間不等 。
從機構觀點看,高帶寬內存板塊中,年內漲幅較大個股偏設備端與代銷端。
比如拓荊科技,據方正證券 ,公司的薄膜沉積設備,如PECVD 、ALD及SACVD,是HBM制造過程中的關鍵設備 ,用于在芯片上沉積薄膜,以實現高密度、高性能的存儲功能。隨著HBM技術的演進,如HBM4的開發 ,拓荊科技的設備在支持更高帶寬、更小節點的存儲器生產中扮演著重要角色 。
又比如精智達,據中泰證券,公司作為國內領先的半導體測試設備供應商 ,已成功開發出存儲器通用測試驗證機,并獲得批量訂單,特別是在HBM測試機領域 ,精智達的測試機工程樣機已經搬入客戶現場進入驗證階段,顯示出公司在HBM測試設備方面的技術實力和市場潛力。
而香農芯創則是SK海力士代銷商。華創證券表示,公司國內領先的半導體分銷商,香農芯創擁有全球全產業存儲器供應商之一的SK海力士的代理權 ,這為香農芯創在HBM領域的業務拓展提供了堅實的基礎 。
民生證券認為,從產業鏈來看,HBM產業上游主要包括電鍍液、前驅體 、IC載板等半導體原材料及TSV設備、檢測設備等半導體設備供應商;中游為HBM生產 ,下游應用領域包括人工智能、數據中心以及高性能計算等。在HBM制造中,TSV工序是主要難點,其涉及光刻 、涂膠、刻蝕等復雜工藝 ,是價值量最高的環節。國產HBM量產勢在必行,當前國產HBM或處于發展早期,上游設備材料或迎來擴產機遇 。
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