AI繁榮背景下，存儲芯片的這波“超級周期 ” ，或比以往更加持久一些。

　　據《韓國經濟日報》報道
，三星電子、SK海力士等主要內存供應商，將在今年第四季度繼續向客戶調整報價 。幅度上 ，包括DRAM和NAND在內存儲產品價格將上調高達30%
，從而順應AI驅動的存儲芯片需求激增趨勢
。

　　整體而言，本輪漲價幅度略高于預期。早在9月下旬 ，三星電子便已發出第四季度提價通知
，當時的計劃是將部分DRAM價格上調15%至30%，NAND閃存價格上調5%至10% 。而回到當下 ，根據花旗集團和摩根士丹利在其半導體行業分析報告中所預測，第四季度DRAM平均售價將上漲25-26%
，比上一季度上漲10%以上，漲價熱潮或進一步加劇
。

　　需要承認 ，存儲芯片行業正加速邁入“超級周期
”幾乎已成為市場不爭的共識。如存儲模組大廠威剛董事長陳立白判斷
，第四季度僅僅是存儲嚴重缺貨的起點，明年存儲產業將繼續處于供貨吃緊狀態 。

　　對存儲芯片供應趨緊的預判則進一步加劇了市場的囤貨行為
。另據《朝鮮日報》報道 ，由于擔心DRAM短缺
，幾家領先的國際電子和服務器公司正在囤積內存，并與三星和SK海力士洽談簽訂2至3年長期供應協議 ，與以往按季度或年度簽訂合同的傳統形成鮮明對照。

　　存儲芯片進入“超級周期”的源頭何在？歸根結底
，離不開AI和高性能計算需求的爆發 。

　　正如美光公司首席商務官蘇米特·薩達納（Sumit Sadhana）所言，DRAM價格上漲部分原因是供應緊張 ，而這一趨勢很大程度上是由HBM需求激增推動的
，因為HBM消耗的晶圓容量是標準DRAM的三倍多。而根據摩根士丹利預測，今年包括谷歌 、亞馬遜
、Meta、微軟在內的科技巨頭 ，將在人工智能基礎設施上投入4000億美元
。

　　也因此，國內外存儲廠商紛紛將優先布局HBM相關的先進封測領域作為其經營策略。10月20日消息
，三星正在加緊推進HBM4的研發，計劃于10月27日至31日進行發布 ，并于今年晚些時候量產 。上市公司方面
，佰維存儲于10月21日在互動平臺表示，公司的晶圓級先進封測制項目正處于投產準備過程中 ，公司正加緊惠州封測制造中心的產能擴建
。

　　從價格趨勢來看
，TrendForce預測，2025年HBM的平均銷售單價將同比上漲20.8% ，達到1.80美元/Gb
，盈利能力可觀。另有機構預計明年上市的12層HBM4產品單價將達到500美元，比售價約300美元的12層HBM3e高出60%以上 。

　　不過 ，隨著人工智能投資從大容量數據訓練轉向推理
， DRAM需求增長也有望跑出加速度
。根據韓國KB證券研究主管Jeff Kim預計，若當前漲勢持續 ，明年非HBM內存芯片的盈利能力甚至可能將超越HBM。

　　展望未來，上海證券研報表示
，AI需求旺盛推動存儲需求的增長，同時由于海外原廠產能限制 ，2025年第四季度存儲漲價趨勢預計持續
，看好本輪存儲大周期 。也有保守聲音如華邦電董事長焦佑鈞指出，當前DRAM供需不平衡 ，有可能實際需求并無這么多
，不過如今仍處在供不應求的狀況，致使缺口產生 ，供給不足下導致價格狂飆
。