據韓聯社等多家韓媒今早報道，SK海力士12日宣布 ，已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發，實現了全球最高水平的數據處理速度和能效
，并在全球首次構建了量產體系 。

　　消息發布后，SK海力士（000660. KRX）股價當日盤中一度上漲超5%。

　　高帶寬存儲器（HBM ，High Bandwidth Memory）垂直連接多個DRAM
，與現有的DRAM相比，能顯著提升數據處理速度 ，目前已推出六代產品——HBM 、HBM2、HBM2E
、HBM3、HBM3E 、HBM4
。

　　據海力士介紹
，相比前一代產品（HBM3E），新一代HBM4的數據傳輸通道（I/O）從1024條提升至2048條 ，帶寬較之擴大一倍
，與此同時，其HBM4實現了高達10Gbps（每秒10千兆比特）以上的運行速度 ，這大幅超越JEDEC標準規定的8Gbps（每秒8千兆比特）；另外
，該產品能效提升40%。這意味著，其HBM4不僅在單位時間內處理的數據量有了巨大提升 ，還可降低數據中心電力成本 。

　　SK海力士預測，將該產品引入客戶系統后
，AI服務性能最高可提升69%
。這能讓AI訓練和推理更快
、更高效。

　　SK海力士在HBM4的開發過程中采用了自研的MR-MUF封裝技術和第五代10納米級（1b）DRAM工藝，MR-MUF工藝指在堆疊半導體芯片后 ，通過向芯片間隙注入液態保護材料并固化的方式保護層間電路
，相較逐層堆疊芯片時鋪設薄膜材料的傳統方式，該工藝效率更高且散熱效果優異 。

　　SK海力士副總裁、HBM開發負責人趙柱煥（Kwon Eon-oh）表示 ，“HBM4的開發將成為業界新的里程碑”
，并補充道，“我們將及時提供滿足客戶要求的性能 、能效
、可靠性等產品 ，確保在AI內存市場的競爭優勢
，并實現快速上市
。 ”

　　趙柱煥是DRAM領域的專家，于2022年將全球首創的下一代工藝High-K Metal Gate (HKMG)引入到移動DRAM、LPDDR中 ，提高了速度并降低了功耗消耗。2023年
，他晉升為SK海力士高管，承擔起完成該公司HBM技術路線圖的重任 。

　　SK海力士AI Infra部門總裁兼首席營銷官金柱善（Kim Ju Seon）則明確表態：“HBM4是突破AI基礎設施局限性的標志性轉折點 ，SK海力士將通過及時供應AI時代所需的最高品質和多樣化性能內存，成長為一家全棧式AI內存提供商
。”（小K注：SK海力士AI Infra是該公司為專注人工智能領域成立的獨立業務部門
，主要負責AI半導體相關業務，包括新一代HBM芯片等人工智能技術的研發與市場拓展）

　　HBM對于AI能（特別是大規模訓練和推理） 、高性能計算以及高端顯卡至關重要 ，它能夠極大緩解數據吞吐的瓶頸
，讓GPU等處理器高效運轉。

　　目前高端HBM市場主要由三星
、美光、海力士三大巨頭主導，頭部廠商在HBM上的競爭異常激烈 。SK海力士的HBM產品市場占有率位列第一 ，新品迭代上
，此次SK海力士領先一步，但三星和美光也在積極跟進 ，兩者均已經開發了HBM4產品
，前者正在籌備樣品生產，計劃在2025年第四季度開始初期生產 ，目標是搭載于英偉達2026年推出的Rubin AI GPU
，正計劃恢復建設平澤第五工廠，為下一代HBM準備產能 ，后者已推出12層堆疊36GB HBM4樣品，進入客戶驗證階段
，計劃2026年正式量產
。

（文章來源：財聯社）