部分存儲產(chǎn)品傳來了漲價的消息。“這段時間有的漲了100%，有的一個月內(nèi)漲了50% ，這個月漲幅非常大 。
”深圳一家頭部存儲模組廠商的銷售負責人張麗（化名）告訴第一財經(jīng)記者
，一些DRAM產(chǎn)品近期出現(xiàn)漲價，主要是DDR4和DDR3在漲 ，背后的驅(qū)動因素不是需求增長
，而是原廠停產(chǎn)
。

　　DRAM即動態(tài)隨機存取存儲器，是目前兩種最主要的存儲顆粒之一 ，DDR4和DDR3分別是第四和第三代雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM。市場研究機構(gòu)的數(shù)據(jù)也顯示
，近期DDR4價格漲勢尤其迅猛 。

　　頻頻漲價

　　據(jù)閃存市場數(shù)據(jù)，在截至5月27日的一周內(nèi) ，多款DDR4產(chǎn)品環(huán)比價格上漲
，其中DDR4 16Gb 3200
、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT價格分別環(huán)比上漲3.95% 、15%
、10%
。TrendForce集邦咨詢本月23日、25日 、27日
、28日和29日發(fā)布的市場動態(tài)中，也顯示多種DDR4顆粒現(xiàn)貨價格出現(xiàn)上漲 ，29日DDR4 8Gb 3200漲幅為4%。

　　“深圳市場表現(xiàn)火熱，買家問價動作較多
，部分DDR4價格持續(xù)拉升，目標價格也有所提高 ，但仍難以跟上報價 。” TrendForce集邦咨詢在29日的市場動態(tài)報告中稱
。

　　“上周（采購時）我報你4元
，你問3.8元行不行。這周再來問價，我說現(xiàn)在4.5元了 ，你又問能不能按上周報的4元
，我說不好意思，馬上變成4.8元了 。就是按這個節(jié)奏漲的
。 ”張麗向記者形容。

　　漲價背后 ，今年2月
，有消息稱美光、三星和SK海力士可能在今年年底前停止生產(chǎn)DDR3和DDR4內(nèi)存 。4月，有消息稱三星通知了PC制造商 ，將在今年年底前停產(chǎn)DDR4
，最后訂購日期定在6月。

　　三星并未回應(yīng)市場消息并證實DDR4停產(chǎn)，但市場上已出現(xiàn)連鎖反應(yīng)
。TrendForce集邦咨詢稱 ，三星 、美光DDR3
、DDR4停產(chǎn)傳聞引發(fā)DRAM市場連鎖反應(yīng)，出現(xiàn)備貨潮。“三星、SK海力士和美光針對PC及服務(wù)器的DDR4和LPDDR4產(chǎn)品陸續(xù)發(fā)布了EOL（終止生產(chǎn)）通知
，最后發(fā)貨時間預(yù)計在2026年第一季度至第二季度 。
”TrendForce集邦咨詢分析師許家源告訴記者，原廠宣布EOL后 ，買方紛紛搶購補充庫存
，使4月至5月的顆粒現(xiàn)貨市場供給緊張，價格大幅上漲
。

　　閃存市場稱 ，在原廠停產(chǎn)部分DDR4 、減產(chǎn)LPDDR4X的持續(xù)影響下
，引發(fā)的漲價效應(yīng)蔓延至渠道成品，較低價的DDR5資源在渠道市場也愈發(fā)難覓 ，使本周渠道DDR5內(nèi)存條也調(diào)漲價格。

　　不只DDR4在漲價
，另一大類存儲顆粒中，NAND Flash（一種主要的閃存顆粒）也有部分產(chǎn)品在漲價 。張麗告訴記者 ，漲價最多的是容量32Gb及32Gb以下的MLC NAND Flash
，這類產(chǎn)品主要用于智能家居
、電視、工業(yè)自動化設(shè)備 、智能穿戴產(chǎn)品等，三星占了這類產(chǎn)品較大的市場份額
。據(jù)她所知 ，也是因為原廠發(fā)了停產(chǎn)通知，導致MLC NAND Flash市場供應(yīng)減少
，因此近期才會出現(xiàn)漲價。

　　近日有消息稱，三星提前停產(chǎn)MLC NAND Flash ，通知只供應(yīng)至6月
，并希望通過漲價使客戶知難而退，市場則對三星停供導致供應(yīng)短缺問題感到擔憂 ，大力囤貨 。三星在給記者的回應(yīng)中未提及MLC NAND Flash停供一事是否真實
，而是表示，不對客戶有關(guān)的事發(fā)表評論
。

　　原廠調(diào)整生產(chǎn)

　　漲價是局部現(xiàn)象 ，雖然業(yè)內(nèi)預(yù)計存儲行情已在逐步改善
，但市場還未因整體需求拔高而出現(xiàn)十分迅猛的整體漲價。

　　以NAND Flash為例，TrendForce集邦咨詢29日發(fā)布的報告稱 ，今年第一季度NAND Flash供應(yīng)商在面對庫存壓力和終端客戶需求下滑的情況下
，平均銷售價格下降了15%，出貨量環(huán)比減少7% ，該季度前五大NAND Flash品牌廠營收合計120.2億美元，環(huán)比減少24% 。預(yù)計第二季度NAND Flash價格將出現(xiàn)觸底反彈
，品牌廠商營收有望環(huán)比增加10%
。

　　從存儲市場整體規(guī)模看，也有存儲供應(yīng)鏈從業(yè)者向記者表示 ，預(yù)計今年將比去年有所增長
，但幅度預(yù)計只有1%~2%。其背后，積極因素包括業(yè)內(nèi)去庫存后價格得到支撐、AI應(yīng)用帶來大容量存儲需求 ，但整體終端需求還未強勁反彈 。

　　在這種情況下
，之所以部分存儲顆粒漲價，是因為這些產(chǎn)品并非最新一代的高性能產(chǎn)品 ，而原廠面向AI帶來的新需求
，正進行制程轉(zhuǎn)換。

　　“現(xiàn)在DDR已經(jīng)做到了DDR5，像三星
、海力士這些原廠大廠 ，它們已經(jīng)打算將產(chǎn)能轉(zhuǎn)到高性能的產(chǎn)品上
，例如HBM（高帶寬內(nèi)存，DRAM的一種） ，這部分（DDR3、DDR4）已經(jīng)不是能帶來高利潤 、高毛利的業(yè)務(wù)了
。”張麗解釋。

　　許家源也告訴記者，一些DDR4和LPDDR4將終止生產(chǎn)
，主要是因為PC及服務(wù)器應(yīng)用已經(jīng)逐步從DDR4轉(zhuǎn)向DDR5，同時DDR4系列產(chǎn)品的價格和利潤都較低 。

　　有消息稱 ，三星停產(chǎn)DDR4后
，將把生產(chǎn)資源集中在DDR5和HBM上
。美光則在2025財年第二季度財報中提及銷售HBM對毛利率的作用。美光稱，該季度綜合毛利率有所提高 ，原因就包括高利潤的云產(chǎn)品特別是HBM的銷售增加 。

　　MLC也不是NAND Flash最新的技術(shù)
。MLC即多層單元
，從MLC
、TLC（三級單元）到QLC（四級單元），NAND顆粒存儲密度越來越高。記者了解到 ，今年以來
，包括長江存儲、鎧俠 、Solidigm在內(nèi)，多家存儲廠商已在極力推廣QLC產(chǎn)品 ，推進產(chǎn)品迭代 。

　　面向AI時代調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的信號越來越明顯
。目前
，高性能存儲產(chǎn)品中，HBM已成為英偉達等高性能AI芯片的必備 ，采用QLC技術(shù)的NAND Flash也被認為適合運行AI應(yīng)用的設(shè)備。有供應(yīng)鏈廠商向記者解釋，存儲廠商著急推QLC背后
，是AI PC
、AI手機這些端側(cè)設(shè)備需要存儲密度增加 。

　　“原廠在產(chǎn)能資本支出上正在減少，同時存儲技術(shù)朝更先進制程遷移
。 ” CFM閃存市場總經(jīng)理邰煒今年早些時候表示 ，在供應(yīng)端
，整體wafer（晶圓）產(chǎn)出相比以往的增量將明顯減少，存儲原廠的資本支出將更多投入更先進的封裝技術(shù)或產(chǎn)品研發(fā)上 ，更側(cè)重HBM、1c 、1γ和200層
、300層這些先進產(chǎn)能。

　　美光在最新財報中表示
，公司專注于在現(xiàn)有制造設(shè)備中增加HBM產(chǎn)能，以滿足2026年的市場需求 。今年4月 ，美光進行了業(yè)務(wù)部門重組
，新成立了向超大規(guī)模云客戶提供內(nèi)存解決方案、為數(shù)據(jù)客戶中心客戶提供HBM的云內(nèi)存業(yè)務(wù)部。美光稱，此次重組的背景是高性能內(nèi)存和存儲在推動AI發(fā)展方面越來越重要
。

　　SK海力士也在加碼布局HBM。去年第四季度HBM在SK海力士DRAM銷售額中的占比超40% ，該公司預(yù)計今年該占比將提升至50%以上 。