據(jù)周一市場消息 ，由于供應(yīng)緊張
，三星對其DRAM和NAND閃存產(chǎn)品進(jìn)行了大幅提價(jià)，部分產(chǎn)品提價(jià)幅度高至30% 。

　　這也使得三星成為繼美光和閃迪之后 ，最新一家上調(diào)內(nèi)存和閃存產(chǎn)品價(jià)格的存儲(chǔ)巨頭
。

　　消息稱，三星DRAM產(chǎn)品的漲價(jià)幅度高達(dá)30%
，NAND閃存產(chǎn)品的漲價(jià)幅度在5%-10%。受影響的DRAM產(chǎn)品包括LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品，NAND閃存產(chǎn)品包括eMMC和UFS產(chǎn)品 。

　　據(jù)悉 ，三星此次提價(jià)的原因是供應(yīng)緊張
，而供應(yīng)緊張是由于老款產(chǎn)品產(chǎn)量減少以及大型云企業(yè)需求增加造成的。

　　目前，三星在DRAM和NAND市場的占有率分別為32.7%和32.9%
。

　　存儲(chǔ)巨頭掀起漲價(jià)潮

　　近期 ，全球存儲(chǔ)巨頭接連漲價(jià)。

　　9月13日有消息稱
，美光高層觀察到，客戶需求預(yù)測顯示重大供應(yīng)短缺 ，因此公司決定緊急暫停所有產(chǎn)品報(bào)價(jià)
，重新調(diào)整后續(xù)價(jià)格 。美光已通知客戶，DDR4 、DDR5
、LPDDR4、LPDDR5等存儲(chǔ)產(chǎn)品全部停止報(bào)價(jià) ，報(bào)價(jià)暫停時(shí)間一周
，且相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格或?qū)⒄{(diào)漲20%-30%
。此次涉及的不僅是消費(fèi)級與工業(yè)級存儲(chǔ)產(chǎn)品，汽車電子產(chǎn)品漲幅更高 ，預(yù)計(jì)達(dá)70%。

　　此前，NAND閃存原廠閃迪宣布
，針對全部渠道通路和消費(fèi)類產(chǎn)品的價(jià)格執(zhí)行10%普漲 。公司表示，在AI應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心 、客戶端、移動(dòng)三領(lǐng)域均出現(xiàn)日益增長的存儲(chǔ)需求的背景下 ，NAND閃存產(chǎn)品需求強(qiáng)勁
。未來公司將繼續(xù)定期進(jìn)行價(jià)格評估
，并可能在未來幾個(gè)季度作出進(jìn)一步調(diào)整。

　　本輪漲價(jià)潮反映出存儲(chǔ)芯片行業(yè)正經(jīng)歷結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變 。在AI熱潮下，三星等存儲(chǔ)大廠紛紛將重心轉(zhuǎn)向AI PC和下一代智能手機(jī)等新興市場 ，以及HBM等高利潤產(chǎn)品領(lǐng)域
，導(dǎo)致傳統(tǒng)產(chǎn)品供應(yīng)收縮
。

　　眼下，各大存儲(chǔ)大廠正爭先恐后地投身AI賽道 ，優(yōu)先為英偉達(dá)
、AMD的AI加速器供應(yīng)最新產(chǎn)品。HBM的優(yōu)先級高于消費(fèi)級DRAM
，加劇了后者供應(yīng)緊張 。

　　摩根士丹利預(yù)計(jì)，隨著HBM市場競爭加劇 ，傳統(tǒng)DRAM和NAND產(chǎn)品有望在2026年迎來更可持續(xù)增長
。

　　就在三星漲價(jià)消息傳出之際
，該公司的12層HBM3E芯片產(chǎn)品終于通過英偉達(dá)認(rèn)證測試，這意味著這家芯片巨頭在全球AI芯片賽道上取得了重要突破。

　　周一 ，三星電子股價(jià)收漲4.77%，報(bào)83500韓元
，盤中一度上漲5%至83400韓元，創(chuàng)下過去一年以來新高 。

（文章來源：財(cái)聯(lián)社）